Pat

J-GLOBAL ID：200903025537847121

トリクロロシランの製造方法および製造装置

Inventor： 立野 昇 ,  竹末 久幸 ,  佐藤 春美
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 千葉 博史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009044930
Publication number (International publication number)：2009227577
Application date： Feb. 26, 2009
Publication date： Oct. 08, 2009
Summary：

【課題】塩化工程から分離したポリマー、あるいは多結晶シリコン製造工程の排ガスから分離したポリマーを分解してトリクロロシランに転換する製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】多結晶シリコン製造プロセスにおいて発生される高沸点クロロシラン類含有物(ポリマー)を、塩化水素と混合して分解炉に導入し、450°C以上、好ましくは450°C以上〜700°C以下の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させてトリクロロシランを製造することを特徴とし、好ましくは、ポリマーに対して塩化水素を10〜30質量%混合した混合物を分解炉に導入して分解するトリクロロシランの製造方法および製造装置。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン製造プロセスにおいて発生する四塩化珪素よりも高沸点のクロロシラン類(高沸点クロロシラン類と云う)含有物(ポリマーと云う)を、塩化水素と混合して分解炉に導入し、450°C以上の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させてトリクロロシランを製造することを特徴とするトリクロロシランの製造方法。

IPC (1)：

C01B 33/08

FI (1)：

C01B33/08

F-Term (9)：

4G072AA14 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH07 ,  4G072HH40 ,  4G072JJ14 ,  4G072RR01 ,  4G072RR11 ,  4G072UU01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 多結晶シリコンの製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-503550   Applicant：ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション

Cited by examiner (1)

• 多結晶シリコンの製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-503550   Applicant：ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション