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J-GLOBAL ID：200903027729913457

多結晶シリコンの製造方法

Inventor： ケンディグ、ジェイムズ・エドワード ,  ランディス、デイヴィッド・ラッセル ,  マックィストン、トッド・マイケル ,  ゼイラー、マイケル・マシュー
Applicant, Patent owner： ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション
Agent (5)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003503550
Publication number (International publication number)：2004532786
Application date： May. 23, 2002
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：

(A)トリクロロシランを水素と反応させることにより、シリコンと、テトラクロロシラン及び式HnCl6-nSi2(式中、nは0から6までの値)で表されるジシランを含む流出混合物とを生成させる工程と、(B)約600°C〜1200°Cの範囲の温度で流出混合物及び水素を反応器に同時供給して、テトラクロロシランの水素化及びジシランからモノシランへの転化をもたらす工程とを含む多結晶シリコンの製造方法。

Claim (excerpt)：

(A)トリクロロシランを水素と反応させることにより、シリコンと、テトラクロロシラン及び式HnCl6-nSi2(式中、nは0から6までの値)で表されるジシランを含む流出混合物とを生成させる工程と、 (B)約600°C〜1200°Cの範囲の温度で前記流出混合物及び水素を反応器に同時供給することにより、テトラクロロシランからトリクロロシランへの水素化及びジシランからモノシランへの転化をもたらす工程と を含む多結晶シリコンの製造方法。

IPC (3)：

C01B33/03 ,  C01B33/04 ,  C01B33/107

FI (3)：

C01B33/03 ,  C01B33/04 ,  C01B33/107 Z

F-Term (11)：

4G072AA01 ,  4G072AA06 ,  4G072AA14 ,  4G072BB12 ,  4G072HH03 ,  4G072HH08 ,  4G072HH09 ,  4G072JJ01 ,  4G072MM21 ,  4G072NN13 ,  4G072RR04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-188414
  
• シランを含む副産液体流から微粒ケイ素の分離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-106661   Applicant：ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション
• 塩化水素の減少した混合物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-008234   Applicant：株式会社トクヤマ