Pat

J-GLOBAL ID：200903025540383063

プラズマ処理装置

Inventor： 原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  鮫島 俊之 ,  碓井 節夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993022767
Publication number (International publication number)：1994236850
Application date： Feb. 10, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 成膜物等に対しダメージを生じることなく、また均一な膜厚分布をもって成膜することが可能であり、装置内の余分な付着が抑制されたプラズマ処理装置を提供する。【構成】 プラズマ生成部1と処理部2とが分離されて成るプラズマ処理装置において、プラズマ生成部1と処理部2との境界近傍からプラズマ処理すべき基板20に向かって反応に寄与するガス分子を引き出すガイド3を設ける構成とする。

Claim (excerpt)：

プラズマ生成部と処理部とが分離されて成り、上記プラズマ生成部と上記処理部との境界近傍から処理すべき基板に向かって反応に寄与するガス分子を引き出すガイドが設けられて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-196097   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平3-004531
  
• 特開昭62-195124