Pat
J-GLOBAL ID:200903025564619807
圧電磁器組成物の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001258107
Publication number (International publication number):2003063866
Application date: Aug. 28, 2001
Publication date: Mar. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 比誘電率の温度変動が小さく、アクチュエータ特性の温度依存性が安定し、かつ、低温焼結が可能で、コストが低い圧電磁器組成物の製造方法を提供する。【解決手段】 式PbTiO3-PbZrO3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3で表記され、PbTiO3が35mol%〜55mol%、PbZrO3が15mol%〜55mol%、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3が0〜40mol%(0を含まず)の組成に、MnOで表される酸化物に換算して、0〜0.10wt%(0を含まず)含有する圧電磁器組成物の製造方法において、比表面積値が5m2/g以上である粉末を用いる。
Claim (excerpt):
式PbTiO3-PbZrO3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3で表記され、PbTiO3が35mol%〜55mol%、PbZrO3が15mol%〜55mol%、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3が0〜40mol%(0を含まず)の組成に、MnOで表される酸化物に換算して、0〜0.10wt%(0を含まず)含有する圧電磁器組成物の製造方法であって、比表面積値が5m2/g以上である粉末を用いたことを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法。
IPC (3):
C04B 35/49
, H01L 41/187
, H01L 41/24
FI (3):
C04B 35/49 T
, H01L 41/18 101 F
, H01L 41/22 A
F-Term (14):
4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA14
, 4G031AA17
, 4G031AA18
, 4G031AA19
, 4G031AA23
, 4G031AA26
, 4G031AA32
, 4G031BA10
, 4G031GA01
, 4G031GA04
, 4G031GA11
, 4G031GA19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
圧電磁器組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-222796
Applicant:日立金属株式会社
-
電歪素子材料及びその製造方法,並びにその電歪素子材料を用いた圧電アクチュエータ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-327701
Applicant:トーキンセラミクス株式会社
-
圧電磁器組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-209015
Applicant:株式会社村田製作所
Return to Previous Page