半導体ウェーハの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：波多野久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997274760
Publication number (International publication number)：1999111653
Application date： Oct. 07, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】安価で高平坦度な大口径半導体ウェーハが得られる半導体ウェーハの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体インゴットより切断されたスライスウェーハの一表面に膜部材の基準面を形成し、研削装置のロータリーチャックテーブルにスライスウェーハの基準面が当接するようにスライスウェーハを載置し、しかるのちスライスウェーハの他表面を研削する。

Claim (excerpt)：

半導体インゴットを切削装置により切断しスライスウェーハを製作する工程と、このスライスウェーハの一表面に膜を形成し硬化する膜部材を塗布する工程と、この膜部材を押圧しスライスウェーハの一表面に平面形状の基準面を形成する工程と、研削装置のテーブルの基準面と前記スライスウェーハの基準面が当接するように前記テーブルに前記スライスウェーハを載置し、しかるのち前記スライスウェーハの他表面を研削する工程とよりなることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 311 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304 331 , B24B 1/00

FI (4)：

H01L 21/304 311 A , H01L 21/304 321 H , H01L 21/304 331 , B24B 1/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

ワークの平面研削方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-227291 Applicant：信越半導体株式会社
特開平2-076675
特開昭62-119006

Cited by examiner (3)

ワークの平面研削方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-227291 Applicant：信越半導体株式会社
特開平2-076675
特開昭62-119006

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