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J-GLOBAL ID：200903025658263879
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994038159
Publication number (International publication number)：1995249820
Application date： Mar. 09, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 GaN系材料を用いた発光層に高効率の発光センターを高密度に形成することができ、高輝度短波長を実現し得る半導体レーザを提供すること。【構成】 3C-SiC基板31上に、n-GaNバッファ層32を介して、n-GaAlNクラッド層33,GaN発光層34及びp-GaAlNクラッド層35からなるダブルヘテロ接合構造を形成し、その上にn-GaN電流阻止層36及びp-GaNコンタクト層17を形成した半導体レーザにおいて、発光層34中にAsを添加し、この添加したAs元素が形成する等電子トラップを発光中心としたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に、Ga<SB>x</SB> Al<SB>y</SB> In<SB>1-x-y</SB> N(0<x≦1,0≦y<1)からなる発光層が第1導電型及び第2導電型のクラッド層で挟持されてなるダブルヘテロ接合構造を形成した半導体発光素子において、前記発光層中にP,As,Sb,Bi及びBからなる群より選ばれた少なくとも1種が添加され、該添加された元素が形成する等電子トラップを発光中心としたことを特徴とする半導体発光素子。
Patent cited by the Patent：
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