半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：稲岡耕作 , 川崎実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007084526
Publication number (International publication number)：2007184641
Application date： Mar. 28, 2007
Publication date： Jul. 19, 2007
Summary：

【課題】半導体素子を、素子形成面が上(フェースアップ)になるようにパッケージする場合に、下地基板を使わずに、プリント基板等へのダイレクトな接続をすることができる半導体装置を実現する。【解決手段】半導体素子1の素子形成面には、素子形成面側での電気接続のためのバンプ電極20が配置されている。また、半導体素子1の素子形成面において、バンプ電極20が配置される領域の外側の領域には、パッド電極2が配置されている。パッド電極2の直下には、半導体素子1を貫通する貫通孔1aが形成されている。貫通孔1aには、バンプ6aが形成されており、このバンプ6aは、半導体素子1の裏面から突出している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子と、前記半導体素子の素子形成面に配置され、前記素子形成面側での電気接続のためのバンプ電極と、前記バンプ電極が配置される領域の外側の領域に配置されたパッド電極と、前記パッド電極の直下で前記半導体素子を貫通し、前記半導体素子の前記素子形成面と反対側の裏面から突出するバンプとを含む、半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/60 , H01L 25/18 , H01L 25/07 , H01L 25/065 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (3)：

H01L21/92 602N , H01L25/08 Z , H01L21/88 J

F-Term (26)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH23 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ23 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK23 , 5F033MM30 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR14 , 5F033SS15 , 5F033VV07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体チップおよびマルチチップ半導体モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-019271 Applicant：シャープ株式会社
特開昭63-156348
特開昭62-209845

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