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J-GLOBAL ID:200903025700858845

ドライエッチング装置とドライエッチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999191686
Publication number (International publication number):2001023961
Application date: Jul. 06, 1999
Publication date: Jan. 26, 2001
Summary:
【要約】【課題】 パーティクルが発生しにくく装置稼働率が高く、セラミックス製ドームの寿命の長いドライエッチング装置とドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置は、エッチングチャンバ10と、セラミック製ドーム20とを有しており、エッチングチャンバー10には、ゲート11とガス導入口12とが設けられており、内部にはセラミック製のESCステージ31が設けられ、外部に圧力計13と圧力制御器40とが接続されており、ESCステージ31には第1の高周波電源23が接続している。ドーム20の外部には第1のコイル21と第2のコイル22とが互いに相手のコイルの間になるように螺旋状に配設されており、第1のコイル21は第2の高周波電源24に接続され、第2のコイル22は第3の高周波電源25に接続されており、所定の間隔で切り換えられる。
Claim (excerpt):
エッチングチャンバ内に保持されたウェーハに減圧下の活性ガスプラズマを作用させてエッチング処理を行うドライエッチング装置であって、前記ドライエッチング装置は、エッチングチャンバと、プラズマ形成手段と、ウェーハ保持手段と、エッチングガス供給手段と、ガス圧力制御手段とを備え、前記プラズマ形成手段は、切替え可能な2組の高周波電源と、該高周波電源に接続する2組の高周波電力印加用のコイルとを有し、2組の前記高周波電力印加用のコイルはそれぞれが互いに相手のコイルの間に位置するように近接して配設されていることを特徴とする誘導結合プラズマ型ドライエッチング装置。
IPC (2):
H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (2):
H01L 21/302 B ,  H05H 1/46 L
F-Term (8):
5F004AA00 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BC08 ,  5F004CA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-255785   Applicant:富士通株式会社
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-059876   Applicant:東京エレクトロン株式会社
  • プラズマ処理方法及び装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-132110   Applicant:松下電器産業株式会社
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