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J-GLOBAL ID：200903025733396316

高圧リフローによる孔の埋め込み方法

Inventor： 藤井 美香 ,  小山 一英
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995006878
Publication number (International publication number)：1996203895
Application date： Jan. 20, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、コンタクト抵抗を増大させることがないように接続孔を形成し、高圧リフロー法によって接続孔内に金属膜の一部分の埋め込みを図る。【構成】 一つの電気的接続に対して複数の接続孔14を絶縁膜13に形成する。その際に、各接続孔14(14a〜14d)の各最小径は、上記絶縁膜13上に形成する金属膜16の膜厚の値よりも小さく形成する。その後、各接続孔14a 〜14d 内に空間を残す状態にして絶縁膜13上に金属膜16を形成し、続いて金属膜16の表面に圧力を加えて金属膜16の一部分を各接続孔14a 〜14d の内部に押し込めることで各接続孔14a 〜14d を金属膜16の一部分で埋め込む。上記複数の接続孔14a 〜14d の各最小径は、望ましくは最大0.6μm以下に設定する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜に孔を形成した後、前記孔内に空間を残す状態にして前記絶縁膜上に金属膜を形成し、続いて加熱しながら前記金属膜の表面に圧力を加えて該金属膜の一部分を前記孔の内部に押し込めることで該孔を該金属膜の一部分で埋め込む高圧リフローによる孔の埋め込み方法において、前記孔を一つの電気的接続に対して複数の孔で形成し、かつ該複数の孔の少なくとも各孔の最小径は前記金属膜の膜厚以下の値に設定することを特徴とする高圧リフローによる孔の埋め込み方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平3-225829
  
• 集積回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-058624   Applicant：富士通株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257328   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開平4-099358
  
• 特開平3-225829
  
• 特開平4-099358