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J-GLOBAL ID：200903025844481304
セグメント化単結晶基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川口 義雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995007521
Publication number (International publication number)：1995221410
Application date： Jan. 20, 1995
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 変調器内蔵半導体レーザの製造に適用される。【構成】 第一構造の表面の一部を酸化物膜(6)によって保護し、保護されていない層を、ストップ層(2)に達するまでエッチングする。次に、再付着した層の一つに、隣接する層とは異なる組成を与えることにより、分子ジェットエピタキシャル付着によってエッチングされた部分の層(7,8,9)を再形成する。
Claim (excerpt)：
セグメント化単結晶基板の長さに従って、延び継続するようになるそれぞれ第一および第二セグメント(S1およびS2)を占めるようになる第一および第二の構造を含み、各構造が異なる組成の重ね合わせた複数の層(3、4、5〜7、8、9)から構成され、前記二つの構造が前記基板の一部となる同一の内部層(2)上に形成されるようになる、セグメント化単結晶基板の製造方法であって、-内部層を形成し、前記内部層上にエピタキシャル付着により第一構造をいわゆる2つのセグメントとして形成するステップと、-第一セグメント(S1)内で前記第一構造上に保護膜(6)を形成するステップと、-第一構造が、第一セグメント内では保護膜によって保護され、第二セグメント(S2)内では内部層(2)まで除去されるように第一構造をエッチングするステップと、-内部層上にエピタキシャル付着によって第二構造を形成するステップとを含み、第一構造の前記エッチングとしてまず乾式エッチングを行い、次に内部層に達する湿式最終エッチングを行うことを特徴とする方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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