Pat
J-GLOBAL ID:200903025856515999
レーザーアブレーション成膜装置および成膜方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西 義之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001387341
Publication number (International publication number):2003049262
Application date: Dec. 20, 2001
Publication date: Feb. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】 レーザーアブレーション法による成膜において生成膜へのドロップレットの堆積を完全に防ぐ手段の開発。【構成】 エネルギービームをターゲットに照射して、ターゲットから発生する飛散粒子を基板に付着させるレーザーアブレーション成膜において、少なくとも回転軸と該回転軸に放射状に取り付けられた多数の平面吸着板とからなる高速回転体をターゲットと基板との間の基板寄りにに設け、該回転体の高速回転によりドロップレットを該平面吸着板全面で均一に捕捉吸着させることにより基板に付着する飛散粒子から完全に分離し、良質な膜を得る。
Claim (excerpt):
エネルギービームをターゲットに照射して、ターゲットから発生する飛散粒子を基板に付着させるレーザーアブレーション成膜装置であって、ターゲットと基板との間の距離(X)は10〜100mmであり、少なくとも回転軸と該回転軸に放射状に取り付けられた多数の平面吸着板とからなる高速回転体をターゲットと基板との間に設け、該回転体は、その回転軸の方向および該平面吸着板の面が飛散粒子の飛翔方向に平行であり、該平面吸着板の回転方向の前側の面は飛散粒子のうちドロップレットのみを捕捉吸着する面をなし、該平面吸着板の粒子の飛翔方向の長さ(h:単位=mm)および隣接する平面吸着板間の内部角(θ:単位=度)はVmax
IPC (4):
C23C 14/28
, C23C 14/06
, H01L 21/203
, H01L 21/285
FI (4):
C23C 14/28
, C23C 14/06 E
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/285 S
F-Term (20):
4K029AA06
, 4K029BA52
, 4K029BB10
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029DB20
, 4M104AA01
, 4M104BB19
, 4M104DD37
, 4M104DD39
, 4M104HH20
, 5F103AA10
, 5F103BB13
, 5F103BB27
, 5F103DD30
, 5F103GG02
, 5F103GG03
, 5F103HH03
, 5F103JJ03
, 5F103RR06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-205206
Applicant:三菱マテリアル株式会社
-
特開昭61-170562
-
β-FeSi2薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-349565
Applicant:科学技術振興事業団
Cited by examiner (3)
-
成膜装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-205206
Applicant:三菱マテリアル株式会社
-
特開昭61-170562
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β-FeSi2薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-349565
Applicant:科学技術振興事業団
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