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J-GLOBAL ID：200903025920333948

光半導体装置及びその製造方法

Inventor： 安達 正樹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002050771
Publication number (International publication number)：2003163380
Application date： Feb. 27, 2002
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】 この発明は熱的衝撃を受けても、不点灯やクラックが発生するのを防止できるようにした光半導体装置を提供することにある。【解決手段】 リードフレーム2と、このリードフレームの一部を露出させる空間部を形成した熱可塑性樹脂からなるベース部材3と、上記リードフレームの上記空間部内にマウントされ上記リードフレームと電気的に接続された発光素子5と、熱硬化性樹脂からなり、上記空間部に充填され上記空間部に露出した発光素子、リードフレーム及びベース部材を被覆する被覆材8とを具備する。

Claim (excerpt)：

リードフレームと、このリードフレームの一部を露出させる空間部を形成した熱可塑性樹脂からなるベース部材と、上記リードフレームの上記空間部内にマウントされ上記リードフレームと電気的に接続された発光素子と、熱硬化性樹脂からなり、上記空間部に充填され上記発光素子から出射される光を透過する充填材と、この充填材に対してほぼ同じ線膨張係数かつ弾性率の低い樹脂からなり、上記充填材が上記空間部に充填される前にこの空間部に露出した発光素子、リードフレーム及びベース部材に設けられた被覆材と、を具備することを特徴とする光半導体装置。

F-Term (8)：

5F041AA41 ,  5F041DA06 ,  5F041DA12 ,  5F041DA44 ,  5F041DA46 ,  5F041DA58 ,  5F041DA74 ,  5F041DA75

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭63-152184
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-177682   Applicant：三菱電機株式会社
• 発光ダイオード及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-353629   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-152184
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-177682   Applicant：三菱電機株式会社
• 発光ダイオード及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-353629   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭63-152184