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J-GLOBAL ID：200903025958774239
半導体薄膜光電変換装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998008437
Publication number (International publication number)：1999204816
Application date： Jan. 20, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 局所的短絡欠陥部分を含まなくて漏れ電流を生じない半導体薄膜光電変換装置を歩留りよく製造し得る方法を提供する。【解決手段】 基板10上に順次積層された第1電極の層16、1以上の半導体光電変換ユニットの層18、および第2電極の層20を含む薄膜半導体光電変換装置の製造方法は、半導体光電変換ユニット18の耐電圧の範囲内で第1と第2の電極16,20を介して逆バイアス電圧を印加し、これらの電極間の局所的な短絡欠陥部分で集中して流れる局所的な短絡電流のジュール熱によってそれらの短絡欠陥部分の材料を熱酸化または飛散させることによってそれらの短絡欠陥部分を絶縁化し、その後に、光電変換装置14が超音波洗浄されることを含むことを特徴としている。
Claim (excerpt)：
基板上に順次積層された第1電極の層、1以上の半導体光電変換ユニットの層、および第2電極の層を含む半導体薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記半導体光電変換ユニットの耐電圧の範囲内で前記第1と第2の電極を介して逆バイアス電圧を印加し、これらの電極間で局所的な短絡欠陥部分で集中して流れる局所的な短絡電流のジュール熱によって前記短絡欠陥部分の材料を熱酸化または飛散させることによって前記局所的な短絡欠陥部分を絶縁化し、その後に、前記光電変換装置が超音波洗浄されることを含むことを特徴とする半導体薄膜光電変換装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 V
