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J-GLOBAL ID：200903025961194880

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 中村 勝光
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998053427
Publication number (International publication number)：1999251589
Application date： Mar. 05, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ゲート酸化膜の特性を改善したトレンチMOSゲートを得る。【解決手段】 トレンチ300を充填し、かつトレンチ300の開口部を覆うゲート電極13が設けられる。ここで寸法WGはゲート電極13のうちP型ベース層4やN+ 型エミッタ拡散層51よりも上方にある頭部の径(断面の幅)であり、寸法WTはトレンチ300が直線状に伸びる部分の内壁の径(断面の幅)であり、寸法WCはトレンチ300の断面におけるゲート酸化膜11とP型ベース層4との境界(即ちトレンチ300の内壁)からゲート電極13のトレンチ300よりも上方における端面に至る距離である。但し、上記寸法の間には、WG≧1.3・WT及びWC≧0.2μmの少なくともいずれか一方の関係がある。

Claim (excerpt)：

主面を有する半導体基板と、前記主面に開口部を、前記半導体基板中に底部を、それぞれ有する溝と、前記溝の内壁及び前記開口部の周囲の前記主面上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記半導体基板に対向して設けられ、前記主面よりも前記溝の底部から遠い頭部を有する導電材とを備え、前記頭部の端面が前記溝の内壁よりも前記開口部から0.2μm以上遠く離れているか、前記頭部の径が前記溝が直線状に伸びる部分の前記溝の内壁の径の1.3倍以上であるかの少なくともいずれか一方である半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 653 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-185117   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-001347   Applicant：三菱電機株式会社