化学蒸着法により窒化チタンを基板に蒸着させる方法及び装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998051650
Publication number (International publication number)：1998303148
Application date： Mar. 04, 1998
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板の上面の窒化チタン層よりも薄い窒化チタン層を基板の端縁部に形成する方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明の方法及び装置は、MOCVDにより半導体基板2の端縁部6に蒸着される窒化チタンの量を抑制するが、そのような蒸着を完全には阻止しないようにする。そのために、1又はそれ以上の蒸着抑制ガスを、端縁部に向かうプロセスガスの流れ方向とは実質的に反対の方向に、端縁部6に向けて流す。上記蒸着抑制ガスの端縁部6に向かう流れは、プロセスガスの流れの一部を端縁部6から離れる方向に導くか、蒸着チャンバ30の中の端縁部6付近のプロセスガスを局部的に希釈するか、若しくは、これらの複合された作用を行う。これにより、端縁部6に蒸着される窒化チタンの量が減少される。蒸着抑制ガスは、基板2の下の基板支持台40に形成された複数の孔52を通って流れる。これらの孔52は、支持台40の頂部付近で円周方向に隔置された開口を有している。蒸着抑制ガスは、開口を通って、基板2の上面4の下方の端縁部6の付近から出る。

Claim (excerpt)：

気体のチタン源としての有機チタン源、及び、反応性の気体の窒素源を含むプロセスガスを用いる化学蒸着法(CVD)によって、基板に窒化チタンを蒸着させる蒸着方法において、前記基板の端縁部に蒸着される窒化チタンの量を、前記基板の上面に蒸着される窒化チタンの量に比較して減少させる工程を備え、前記蒸着の間に、蒸着抑制ガスの流れを前記基板の前記端縁部に向けて導くことにより、前記工程が行われることを特徴とする蒸着方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 16/34

FI (3)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 R , C23C 16/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-233221
高温に対する耐性を改善するための窒化チタンの処理
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-084597 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
CVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-129206 Applicant：アネルバ株式会社

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