電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上柳雅誉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002043968
Publication number (International publication number)：2003243327
Application date： Feb. 20, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いることなく、開口部を金属層で選択的に埋め込む。【解決手段】インクジェット法を用いて、コンタクトホールCH1、CH2およびビアホールBH1に金属の液滴7a〜7cを吐出することにより、埋め込み配線8a、8b、10を層間絶縁膜6、9上に形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁層に形成された開口部と、前記開口部に金属の液滴を吐出することにより形成された埋め込み配線とを備えることを特徴とする電子デバイス。

IPC (7)：

H01L 21/288 , B22D 19/08 , B22D 23/00 , B41J 2/01 , C23C 26/02 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (7)：

H01L 21/288 Z , B22D 19/08 Z , B22D 23/00 E , C23C 26/02 , H01L 21/88 B , H01L 21/90 A , B41J 3/04 101 Z

F-Term (46)：

2C056FA02 , 2C056FA15 , 2C056FB01 , 4K044AA01 , 4K044AB10 , 4K044BA10 , 4K044BB10 , 4K044BC14 , 4K044CA11 , 4K044CA55 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD51 , 4M104DD68 , 4M104DD77 , 4M104DD80 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033MM01 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ37 , 5F033QQ44 , 5F033QQ58 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033RR04 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033XX00 , 5F033XX18 , 5F033XX34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

薄膜の形成方法および形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-276266 Applicant：日本電気株式会社

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