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J-GLOBAL ID：200903026034112228

光半導体装置

Inventor： 南部 芳弘 ,  富田 章久
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997277559
Publication number (International publication number)：1999121870
Application date： Oct. 09, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】キャリア注入効率に優れ、発行効率、高温変調特性、温度特性等に優れる、量子閉じこめ構造を有する光半導体装置を提供する。【解決手段】半導体量子箱を含む活性層を備えた光半導体装置において、活性層3、5に隣接して帯間間接遷移型半導体層4を設ける。帯間間接遷移型半導体層4の間接バンドギャップは、半導体量子箱1の基底準位帯間遷移エネルギーと略等しくする。

Claim (excerpt)：

半導体量子閉じこめ構造を有する活性層を備えた光半導体装置において、該活性層に隣接して帯間間接遷移型半導体層が設けられたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-238756   Applicant：株式会社東芝