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J-GLOBAL ID：200903026037356721

太陽電池

Inventor： 北谷 健 ,  矢澤 義昭 ,  田村 克 ,  峯邑 純子 ,  蕨迫 光紀
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994020833
Publication number (International publication number)：1995231108
Application date： Feb. 18, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】広い波長範囲の入射光を電流出力として高効率で変換可能な太陽電池の提供にある。【構成】半導体p型領域とn型領域に挾まれた領域に低不純物濃度領域を有し、該低不純物濃度領域を形成する半導体材料の全部または一部に上記p型およびn型領域を形成する半導体材料よりも狭い禁制帯幅を有する半導体を用いた太陽電池であって、前記低不純物濃度領域を複数の半導体材料からなる積層構造とし、隣合う層間の伝導帯および価電子帯におけるエネルギー障壁の大きさが室温での熱エネルギーkT(k:ボルツマン定数、T:絶対温度)の4倍以下であることを特徴とする太陽電池。

Claim (excerpt)：

半導体p型領域とn型領域に挾まれた領域に低不純物濃度領域を有し、該低不純物濃度領域を形成する半導体材料の全部または一部に上記p型およびn型領域を形成する半導体材料よりも狭い禁制帯幅を有する半導体を用いた太陽電池であって、前記低不純物濃度領域を複数の半導体材料からなる積層構造とし、隣合う層間の伝導帯および価電子帯におけるエネルギー障壁の大きさが室温での熱エネルギーkT(k:ボルツマン定数、T:絶対温度)の4倍以下であることを特徴とする太陽電池。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 29/06

FI (2)：

H01L 31/04 E ,  H01L 31/04 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-017411   Applicant：松下電器産業株式会社
• 非晶質太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-347448   Applicant：シャープ株式会社