Pat
J-GLOBAL ID：200903026044767761
エピタキシャル層付きシリコンウェーハ及びその製造方法。
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084641
Publication number (International publication number)：2000272998
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 03, 2000
Summary：
【要約】【課題】 極薄いエピタキシャル層の形成でOSFフリーかつCOPフリーを達成するシリコンウェーハを製造する。【解決手段】 引上げ速度をV(mm/分)とし、シリコン融点から1300°Cまでの温度範囲でそれぞれインゴットの中心における軸方向の温度勾配をGa(°C/mm)とし、インゴットの周縁における軸方向の温度勾配をGb(°C/mm)とするとき、V/Ga及びV/Gbがそれぞれ0.23〜0.30mm2/分・°Cになるようにインゴットを引上げる。インゴットをスライスして得られたウェーハの表面に厚さ0.2μm以上のシリコン単結晶のエピタキシャル層を形成する。
Claim (excerpt)：
酸素雰囲気下、1000°C±30°Cの温度範囲で2〜5時間熱処理し、引続き1130°C±30°Cの温度範囲で1〜16時間熱処理をした際に酸化誘起積層欠陥が発生しないシリコンウェーハであって、前記ウェーハの表面に厚さ0.2μm以上のシリコン単結晶のエピタキシャル層を有し、前記エピタキシャル層表面全体における結晶に起因したパーティクルの数が0個であるエピタキシャル層付きシリコンウェーハ。
F-Term (11)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF00
, 4G077EA01
, 4G077EH07
, 4G077EH09
, 4G077FG11
, 4G077FJ06
, 4G077GA06
, 4G077HA12
