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J-GLOBAL ID：200903063984519106

エピタキシャルシリコンウエーハおよびその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウエーハ用基板

Inventor： 星 亮二 ,  園川 将 ,  桜田 昌弘 ,  太田 友彦 ,  布施川 泉
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023765
Publication number (International publication number)：2000219598
Application date： Feb. 01, 1999
Publication date： Aug. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 面内全面にI領域を含まないウエーハを単結晶から形成し、これにエピタキシャル層を積んで、エピ層表面に突起あるいはパーティクルとして観察される突起状の表面の歪みが存在しない高品質エピタキシャルウエーハを提供すると共に単結晶径方向の面内全面にI領域を含まない単結晶を歩留りよく高生産性で製造し、エピウエーハの生産性向上とコストダウンを図る。【解決手段】 エピタキシャル層上に、大きさ100nm以上、高さ5nm以上の突起が存在しないエピタキシャルシリコンウエーハおよびCZ法によってシリコン単結晶を育成する際に、I領域を含まない単結晶棒を育成し、該単結晶棒から切り出した面内全面にI領域を含まないシリコンウエーハ上にエピタキシャル層を積むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

エピタキシャル層上に、大きさ100nm以上、高さ5nm以上の突起が存在しないことを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/20

FI (3)：

C30B 29/06 502 J ,  C30B 29/06 A ,  C30B 15/20

F-Term (9)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH06 ,  4G077EH09 ,  4G077EJ02 ,  4G077PF55

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• エピタキシャルウエーハ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-279515   Applicant：信越半導体株式会社
• 薄膜エピタキシャルウェ-ハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-026102   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 薄膜エピタキシャルウェ-ハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-026105   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-158458   Applicant：住友シチックス株式会社
• 特開平3-199194
  
• 特開平4-042894
  
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084916   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• シリコン単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-312819   Applicant：コマツ電子金属株式会社