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J-GLOBAL ID：200903063984519106

エピタキシャルシリコンウエーハおよびその製造方法並びにエピタキシャルシリコンウエーハ用基板

Inventor：
星 亮二

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園川 将

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桜田 昌弘

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太田 友彦

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布施川 泉

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Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

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Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023765
Publication number (International publication number)：2000219598
Application date： Feb. 01, 1999
Publication date： Aug. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 面内全面にI領域を含まないウエーハを単結晶から形成し、これにエピタキシャル層を積んで、エピ層表面に突起あるいはパーティクルとして観察される突起状の表面の歪みが存在しない高品質エピタキシャルウエーハを提供すると共に単結晶径方向の面内全面にI領域を含まない単結晶を歩留りよく高生産性で製造し、エピウエーハの生産性向上とコストダウンを図る。【解決手段】 エピタキシャル層上に、大きさ100nm以上、高さ5nm以上の突起が存在しないエピタキシャルシリコンウエーハおよびCZ法によってシリコン単結晶を育成する際に、I領域を含まない単結晶棒を育成し、該単結晶棒から切り出した面内全面にI領域を含まないシリコンウエーハ上にエピタキシャル層を積むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法。
Claim (excerpt)：
エピタキシャル層上に、大きさ100nm以上、高さ5nm以上の突起が存在しないことを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。
IPC (3)：
C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/20
FI (3)：
C30B 29/06 502 J ,  C30B 29/06 A ,  C30B 15/20
F-Term (9)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH06 ,  4G077EH09 ,  4G077EJ02 ,  4G077PF55
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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