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J-GLOBAL ID：200903026051870640
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326332
Publication number (International publication number)：1998173226
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：
【要約】【課題】 チッ化ガリウム系化合物半導体の積層体からなる半導体発光素子において、n側電極とn形層との接着力およびオーミックコンタクト特性を改良した電極構造を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上に設けられるチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層3およびp形層5を含む半導体積層部と、前記n形層およびp形層にそれぞれ設けられる電極8、9とからなり、前記n形層に設けられる電極が、該n形層上に設けられる金属薄膜9aを介してTiおよびAlの合金もしくは積層体またはTi/Auの積層体からなる金属層9bで形成されている。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板上に設けられるチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層およびp形層を含む半導体積層部と、前記n形層およびp形層にそれぞれ接続して設けられる電極とからなり、前記n形層に設けられる電極が、該n形層上に設けられる金属薄膜を介してTiとAlの合金もしくは積層体またはTiとAuの積層体からなる金属層で形成されてなる半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
