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J-GLOBAL ID:200903026127102508

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 遠藤 恭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000001042
Publication number (International publication number):2001196403
Application date: Jan. 06, 2000
Publication date: Jul. 19, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ウェハレベルCSPと呼ばれる半導体装置において、その実装信頼性を保証しつつ、その生産性を改善し、また装置の厚みを薄くする。【解決手段】 本発明の半導体装置は、プリント配線基板の各ランドに対応するよう、半導体チップ10の主面上に、複数の弾性材料からなる、好ましくはメサ型の絶縁性支柱14を備える。各電極パッドとプリント配線基板の各ランドとを電気的に接続するための複数の配線17は、その一部40が上記各絶縁性支柱14の頂部に至る。パッケージを構成する絶縁性樹脂18は、上記絶縁性支柱14の頂部における上記配線の領域40を露出させて、主面を覆う。上記絶縁性支柱14の頂部における上記露出された配線の領域40に、半田ボール19が固定され、これにより上記プリント配線基板のランド上に実装される。
Claim (excerpt):
その主面に電気回路が形成されている半導体基板と、上記半導体基板上に形成されている電極パッドと、上記半導体基板上の上記電極パッドに近接する位置に形成されている絶縁性支柱と、上記半導体基板上に上記電極パッドから上記絶縁性支柱の頂部にかけて形成されている配線と、上記半導体基板上に形成されている絶縁性樹脂と、上記絶縁性樹脂に上記絶縁性支柱の頂部の配線が露出するように形成されている開口部と、上記開口部に上記絶縁性支柱の頂部上の配線に接続するように形成されている外部接続端子と、を有する半導体装置。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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