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J-GLOBAL ID：200903026150501100

プラズマ処理方法

Inventor：
奥村 智洋

About 奥村 智洋

, 
齋藤 光央

About 齋藤 光央


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (2)： 河宮 治 ,  和田 充夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003393835
Publication number (International publication number)：2004193590
Application date： Nov. 25, 2003
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：
【課題】 簡単で、かつ、所望の微小部分を精度良く加工することのできるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 10000Pa以上3気圧以下の圧力下で発生させたマイクロプラズマで生成された活性粒子を、金属又は半導体である被処理物の表面に照射し、上記被処理物の表面17を加工するプラズマ処理方法であって、上記被処理物の表面の自然酸化膜17aを除去する第1のステップと、上記自然酸化膜を除去した領域の一部又は全部をエッチング加工する第2のステップとを備える。【選択図】図1A
Claim (excerpt)：
10000Pa以上3気圧以下の圧力下で発生させたマイクロプラズマで生成された活性粒子を、金属又は半導体である被処理物の表面に照射し、上記被処理物の表面を加工するプラズマ処理方法であって、 上記被処理物の表面の自然酸化膜を除去する第1のステップと、 上記自然酸化膜を除去した領域の一部又は全部をエッチング加工する第2のステップとを備えるプラズマ処理方法。
IPC (2)：
H01L21/3065 ,  C23F4/00
FI (2)：
H01L21/302 101E ,  C23F4/00 A
F-Term (37)：
4K057DA11 ,  4K057DB01 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE09 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG07 ,  4K057DG16 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM29 ,  4K057DN01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BC03 ,  5F004CA01 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004EA28 ,  5F004EA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特願2002-254324号明細書
Cited by examiner (2)

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