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J-GLOBAL ID：200903026160532097

半導体作製のための、プラズマと、プラズマ点火装置及び誘導結合装置を有するプロセス反応装置を用いたワ-クピ-スの処理方法

Inventor：
ヒロジ ハナワ

About ヒロジ ハナワ


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994260301
Publication number (International publication number)：1995183097
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、集積回路デバイス製造のためのプラズマ発生器についのものである。【構成】 本発生器は、望ましいプラズマを生成するのに必要な電力を処理チャンバ内でガスに供給するために、分離されたプラズマ点火電極を含むものである。プラズマはいったん点火されると、その後は、誘導結合により維持される。
Claim (excerpt)：
望ましいプラズマでワ-クピ-スを処理する方法において、(a)前記所望のプラズマを生成するため、ガスに電力を供給するための点火電極(ignition electrode)を用いるステップ;及び(b)いったん前記プラズマが生成されたなら、そのようなプラズマを維持するために、誘導的にエネルギ-を前記プラズマと結合させるためのアンテナ(antenna) を位置決めするステップ。
IPC (4)：
H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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