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J-GLOBAL ID:200903026188234512

半田バンプの形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山中 郁生 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997146554
Publication number (International publication number):1998335800
Application date: Jun. 04, 1997
Publication date: Dec. 18, 1998
Summary:
【要約】【課題】 配線板とフリップチップ等とを位置決めするために使用されるアライメントマークやプリント配線板をマザーボードに実装するにつきプリント配線板とマザーボードとを位置決めするために使用されるアライメントマークに対して、クリーム半田に含有される半田粒子が付着してしまうことを確実に防止し、もって印刷用マスクによるクリーム半田の連続印刷を可能とする半田バンプの形成方法を提供する。【解決手段】 印刷用マスク1における開口部3の開口径Bをソルダーレジスト層14における開口部14Aの開口径A1よりも大きく形成し、また、プリント配線板5の実装パッド11の径をソルダーレジスト層14の露出用開口部14Aの開口径A1よりも大きく形成して実装パッド11がその周縁でソルダーレジスト層14により被覆され、更に、半田印刷用開口部3の内周面には、積層面側における開口部3の径と反対面における開口部3の径との差が10〜15μmとなるテーパを形成する。
Claim (excerpt):
印刷用マスクに形成された半田印刷用開口部とプリント配線板に形成されたソルダーレジスト層の露出用開口部から露出される半導体素子実装用パッドとを整合させた状態で印刷用マスクをプリント配線板に積層し、半田印刷用開口部からクリーム半田を印刷するとともにリフロー処理を施して半田溶融することにより半導体素子実装用パッドに半田バンプを形成する方法において、前記印刷用マスクに形成された半田印刷用開口部の径は、前記ソルダーレジスト層の露出用開口部の径よりも大きく形成されていることを特徴とする半田バンプの形成方法。
IPC (2):
H05K 3/34 505 ,  H01L 21/321
FI (2):
H05K 3/34 505 C ,  H01L 21/92 604 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • バンプの形成法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-056989   Applicant:ローム株式会社
  • 特開昭61-042197
  • 特開昭61-042197

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