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J-GLOBAL ID：200903026244257393

ショットキーダイオード及びその製造方法

Inventor： 廣瀬 裕 ,  田中 毅
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (12)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005228690
Publication number (International publication number)：2007048783
Application date： Aug. 05, 2005
Publication date： Feb. 22, 2007
Summary：

【課題】窒化物半導体を用いた高耐圧のショットキーダイオードをイオン注入等の煩雑な工程を経ることなく実現できるようにする。【解決手段】ショットキーダイオードは、基板11の上に形成された第1の窒化物半導体層12と、第1の窒化物半導体層12の上に選択的に形成され、第1の窒化物半導体層12とは異なる導電型を有する第2の窒化物半導体層15とを備えている。第1の窒化物半導体層12の上に選択的に形成され且つ一部が第2の半導体層の上面と接するショットキー電極13と、第1の窒化物半導体層12の上にショットキー電極13と間隔をおいて形成されたオーミック電極14とを備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に選択的に形成され、前記第1の窒化物半導体層とは異なる導電型を有する第2の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に選択的に形成され且つ一部が前記第2の窒化物半導体層の上面と接するショットキー電極と、 前記第1の窒化物半導体層の上に前記ショットキー電極と間隔をおいて形成されたオーミック電極とを備えていることを特徴とするショットキーダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/47 ,  H01L 29/872

FI (1)：

H01L29/48 D

F-Term (10)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-061050   Applicant：富士電機株式会社