炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995061050
Publication number (International publication number)：1996264812
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】高温に耐え得る半導体材料よりなるSiCを用いた高耐圧化の可能なショットキーダイオードのショットキー電極が、高温でSiCと反応せず、また密着性が良好で剥離が起きないようにする。【構成】n形SiCの上にAl-Ti合金により、あるいはAl膜とTi膜を交互に積層してショットキー電極を形成し、高温で熱処理する。そして、ショットキー接合の周りにp形SiC層を形成してpn接合を設けることにより、ショットキー接合周縁における電界集中を防ぎ、高耐圧特性を安定化させる。

Claim (excerpt)：

n形炭化けい素半導体素体表面にアルミニウムおよびチタンよりなる電極層を被着したのち、これを600〜1200°Cの温度範囲で熱処理してショットキー電極を形成することを特徴とする炭化けい素ショットキーダイオードの製造方法。

FI (2)：

H01L 29/48 M , H01L 29/48 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (19)

高耐圧ショットキー・ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037995 Applicant：株式会社東芝
特開平2-264475
シヨツトキ障壁を有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-263644 Applicant：サンケン電気株式会社

Show all

Return to Previous Page