半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：土井健二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997167451
Publication number (International publication number)：1999016346
Application date： Jun. 24, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】シンクロナスDRAMの書き込み動作を高速に行う。【解決手段】外部データストローブ信号に同期して与えられる書き込みデータ信号を、ストローブ信号に応答して生成される内部データストローブ信号に応答してラッチし、外部データストローブ信号から生成される書き込み信号に応答して、メモリセルアレイに書き込みデータ信号を供給する。一方、アドレス信号は、外部クロックにより内部に取り込まれる。従って、データバス線等の駆動が、外部データストローブ信号に従って開始するので、書き込みデータ信号の入力から最短の時間で書き込み動作を終了できメモリが2ビットプリフェッチ機能を有する場合、外部データストローブ信号に同期して、2ビットの書き込みデータ信号が時系列的に供給され、2番目の書き込みデータ信号の入力を待って、内部の書き込み動作を開始できる。

Claim (excerpt)：

外部から供給される外部クロックに同期して少なくともアドレス信号が供給される半導体記憶装置において、データを記憶する複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、外部から供給される外部データストローブ信号に同期して供給される書き込みデータ信号を、前記外部データストローブ信号に応答して生成される内部データストローブ信号に応答して、保持するデータ信号入力回路と、前記外部データストローブ信号に応答して前記内部データストローブ信号より遅く生成される書き込み信号に応答して、前記データ信号入力回路が保持する書き込みデータ信号を前記メモリセルアレイに供給する書き込み回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

同期型半導体メモリ装置のデータ入力回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-068241 Applicant：三星電子株式会社
半導体記憶装置システム及び半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-351548 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (1)

同期型半導体メモリ装置のデータ入力回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-068241 Applicant：三星電子株式会社

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