4級アンモニウム塩の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998282498
Publication number (International publication number)：2000109487
Application date： Oct. 05, 1998
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】非水電解液の電解質として用いるのに好適な、高純度で本質的にハロゲンイオンを含まない、4級アンモニウムテトラフルオロボレート又は4級アンモニウムヘキサフルオロフォスフェートの製造法を提供する。【解決手段】一般式 Q+ ・RCO3 - (式中、Q+ は4級アンモニウム基を示し、Rは水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す)で表される炭酸又はそのモノエステルの4級アンモニウム塩と、ホウフッ化水素酸又は六フッ化リン酸とを反応させて4級アンモニウムテトラフルオロボレート又は4級アンモニウムヘキサフルオロフォスフェートを製造するに際し、前者を化学量論量より過剰に用いる。

Claim (excerpt)：

一般式 Q+ ・RCO3 - (式中、Q+ は4級アンモニウム基を示し、Rは水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を示す)で表される炭酸又はそのモノエステルの4級アンモニウム塩と、ホウフッ化水素酸又は六フッ化リン酸とを反応させて、4級アンモニウムテトラフルオロボレート又は4級アンモニウムヘキサフルオロフォスフェートを製造するに際し、炭酸又はそのモノエステルの4級アンモニウム塩を化学量論量より過剰に用いることを特徴とする4級アンモニウム塩の製造方法。

IPC (5)：

C07F 5/02 , C07F 9/06 , H01G 9/038 , H01G 9/035 , H01M 10/40

FI (5)：

C07F 5/02 D , C07F 9/06 , H01M 10/40 A , H01G 9/00 301 D , H01G 9/02 311

F-Term (19)：

4H048AA02 , 4H048AA03 , 4H048AC90 , 4H048VA20 , 4H048VA30 , 4H048VA75 , 4H048VB10 , 4H050AA02 , 4H050AA03 , 4H050AB80 , 4H050AB91 , 4H050AC90 , 5H029AJ14 , 5H029AM00 , 5H029AM01 , 5H029AM07 , 5H029CJ08 , 5H029EJ03 , 5H029HJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電解液のための電解質用四級アンモニウム無機酸塩の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-356446 Applicant：三菱化学株式会社
特開昭63-174954
特開平2-004743

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