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J-GLOBAL ID：200903026296476468

半導体の製造方法

Inventor： 尾江 邦重 ,  岡本 浩
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998016695
Publication number (International publication number)：1999214316
Application date： Jan. 29, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来よりも低い温度で半導体材料の成長が可能で、かつ原料ガス気流中もしくは基板表面との反応性の低い原料ガスを用いて、ガリウムとビスマスを少なくとも含む良質の半導体材料を歩留まり良く製造する。【解決手段】有機金属を用いた気相成長法により、ガリウムとビスマスを少なくとも含む半導体材料を成長する方法において、ガリウムの原料として、トリイソプロピルガリウムを用いる。特に、良質のGaInAsBi混晶またはGaAsSbBi混晶等が効率良く得られる。

Claim (excerpt)：

有機金属を用いた気相成長法により、ガリウムとビスマスを少なくとも含む半導体材料を成長する方法において、上記ガリウムの原料として、トリイソプロピルガリウムを用いることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体混晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-149865   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体結晶の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-182782   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭63-136616