薄膜トランジスタ素子、当該素子シート及びその作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004046026
Publication number (International publication number)：2004311962
Application date： Feb. 23, 2004
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】 TFTパネルやTFTシートのヒロックや電極のエッジ部分に起因するゲートリークやブレークダウンを抑制し、特に樹脂支持体を用いた時のゲートリークを抑制する。【解決手段】支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をこの順に有し、ゲート電極が流動性電極材料を受容する絶縁性層に浸透した流動性電極材料を含有する領域で構成される薄膜トランジスタ素子。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をこの順に有し、ゲート電極が流動性電極材料を受容する絶縁性層に浸透した流動性電極材料を含有する領域で構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ素子。

IPC (6)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/288 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/00

FI (8)：

H01L29/78 617M , G02F1/1368 , H01L21/288 Z , H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L29/78 617J , H01L29/28 , H01L29/58 G

F-Term (71)：

2H092JA26 , 2H092JA36 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092KA09 , 2H092KA12 , 2H092MA10 , 2H092MA24 , 2H092NA13 , 2H092NA16 , 2H092NA29 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD51 , 4M104DD61 , 4M104GG08 , 4M104HH03 , 4M104HH20 , 5F110AA06 , 5F110AA12 , 5F110AA18 , 5F110BB02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN72 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-331398 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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