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J-GLOBAL ID：200903062411875130

有機薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
ゼナン バオ

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アナンス ドダバラパー

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イ フェン

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ベンカタラム レディ ラジュ

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Applicant, Patent owner：
ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド

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Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997331398
Publication number (International publication number)：1998190001
Application date： Dec. 02, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 活性層が有機材料であって、そのキャリア移動度が10-3cm2/Vs以上であり、伝導度が約10-5S/cm以下であるような、半導体薄膜トランジスタ(TFT)を実現する。【解決手段】 有機半導体材料は、3-アルキルチオフェンモノマーのホモポリマーである。このホモポリマーは位置規則的(regioregular)構造を有し、チオフェン部分のアルキル基(R基)の配向は、ポリマー鎖上で隣接するチオフェン部分に関して規則的である。すなわち、ポリマーバックボーンにおいて2つの隣接するチオフェン部分に対して、ただ1個のアルキル基がこれらの2つのチオフェン部分の間の空間に配向するように、チオフェン部分のアルキル基は配置される。ポリマー中のほとんどのチオフェン部分はこの「規則的」配向のアルキル基を有する。
Claim (excerpt)：
基板上にゲート電極を形成するステップと、前記基板上に絶縁材料層を形成するステップと、有機材料と溶媒からなる溶液を前記絶縁材料層の上に塗布して有機材料活性層を形成するステップと、前記有機材料活性層に接触してソース電極およびドレイン電極を形成するステップとからなる、有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記有機材料活性層のキャリア移動度は約10-2cm2/Vs以上であることを特徴とする、有機薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  C09K 3/00 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 29/78 617 T ,  C09K 3/00 R ,  H01L 29/78 618 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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