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J-GLOBAL ID：200903026319224755
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997327968
Publication number (International publication number)：1999163007
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】 有効面積率を向上した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 アイランド33上に半導体チップ38を固着し、ワイヤ39でリード端子34、35と接続する。全体を樹脂40でモールドする。裏面側の樹脂40を部分的に除去して、外部接続用電極となる箇所の金属表面を露出する。半導体チップ38の周囲を囲むように樹脂40を切断して、個々の半導体装置に分割する。
Claim (excerpt)：
半導体チップを固着するアイランドと、前記アイランドに先端を近接するリード端子とを有するリードフレームを準備する工程と、前記アイランドの表面に半導体チップを固着する工程と、前記半導体チップの表面に形成した電極と前記リード端子とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップを含め、前記アイランドとリード端子を絶縁材料で封止する工程と、前記絶縁材料の一部を除去してリード端子の裏面側の一部を露出する工程と、前記絶縁材料を除去した部分を切断して個々のパッケージを形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/56
, H01L 23/28
, H01L 23/50
H01L 21/56 R
, H01L 23/28 Z
, H01L 23/50 R
