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J-GLOBAL ID：200903026323228056

成膜方法及び装置

Inventor： 増井 新 ,  木下 公男
Applicant, Patent owner： 住友重機械工業株式会社
Agent (1)： 牧野 剛博 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001008806
Publication number (International publication number)：2002217131
Application date： Jan. 17, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ストレスマイグレーションやエレクトロマイグレーションの発生を抑制することができるAl配線膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】 Al配線層MLの成膜に際して、基板WAに入射するAlイオンのエネルギーを30〜90eVとする。これにより、Alイオンが既に堆積したAl配線層MLを活性化する。Al配線層MLを活性化することで、高い配向性を示すAl配線層MLを得ることができる。

Claim (excerpt)：

成膜対象である基板の表面を不活性ガスのプラズマにさらすとともに、膜材料であるアルミニウムをイオン化して前記基板の表面に入射させる成膜方法であって、成膜に際して前記基板に入射するアルミニウムイオンのエネルギーは、30から90eVであることを特徴とする成膜方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/32 ,  H01L 21/203

FI (5)：

H01L 21/285 B ,  H01L 21/285 301 L ,  C23C 14/14 B ,  C23C 14/32 B ,  H01L 21/203 Z

F-Term (37)：

4K029AA09 ,  4K029BA03 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029CA03 ,  4K029DB17 ,  4K029DD05 ,  4K029EA00 ,  4K029EA03 ,  4K029FA05 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD35 ,  4M104DD41 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104GG20 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  4M104HH03 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  5F103AA02 ,  5F103BB09 ,  5F103DD28 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103RR10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• アルミニウム膜被着物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-026115   Applicant：株式会社クラレ, 日新電機株式会社
• 特開昭63-051630
  
• 成膜装置及び方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-089758   Applicant：住友重機械工業株式会社