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J-GLOBAL ID：200903026342923652

化学センサ

Inventor：
伊藤 善孝

About 伊藤 善孝


Applicant, Patent owner：
新電元工業株式会社

About 新電元工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997309198
Publication number (International publication number)：1999125619
Application date： Oct. 23, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 本発明は複雑な電極配線を大幅に減らし、また、その電極配線の電気的絶縁を容易にすることで、容易にアンペロメトリックセンサを集積化できるようとするものである。【解決手段】 半導体基板I上にp-n接合により島状に囲まれたセンサを形成すると共に、前記半導体基板と基準電極間にバイアス電圧を印加して、前記p-n接合Jを逆バイアス状態に保ち、且つ前記半導体基板の表面または裏面より前記p-n接合を突き抜けるように定常光または変動光を照射し、前記半導体基板に設けた電極部よりセンサ出力を得るようにしたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基準電極と対極と作用電極の3電極を用いた電解系で、バイアス電圧を加えて流れる電流と電圧を制御し、これらの関係を測定するボルタメトリー法およびガルバノスタット法の電気化学測定法による化学センサに於いて、半導体基板上にp-n接合により島状に囲まれたセンサを形成すると共に、前記半導体基板と基準電極間にバイアス電圧を印加して、前記p-n接合を逆バイアス状態に保ち、且つ前記半導体基板の表面または裏面より前記p-n接合を突き抜けるように定常光または変動光を照射し、前記半導体基板に設けた電極部よりセンサ出力を得るようにしたことを特徴とする化学センサ。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 二次元pH測定装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-318774   Applicant：株式会社堀場製作所
  • 特開平4-050648
Cited by examiner (1)
  • 二次元pH測定装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-318774   Applicant：株式会社堀場製作所

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