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J-GLOBAL ID：200903026376709242

高アスペクト比のカーボンナノチューブを用いた高配向性電極によるアクチュエータ素子

Inventor：
安積 欣志

About 安積 欣志

, 
杉野 卓司

About 杉野 卓司

, 
小川 由紀子

About 小川 由紀子

, 
畠 賢治

About 畠 賢治


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007114743
Publication number (International publication number)：2008266532
Application date： Apr. 24, 2007
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：
【課題】効率のよい変形応答を有するアクチュエータ素子を提供する。【解決手段】アスペクト比が103以上のカーボンナノチューブ、およびイオン液体、ポリマーからなる高分子ゲルから構成され、かつ、カーボンナノチューブが配向構造をもつ導電性薄膜。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
アスペクト比が103以上のカーボンナノチューブ、イオン液体およびポリマーを含む高 分子ゲルから構成され、かつ、カーボンナノチューブが配向構造をもつ導電性薄膜。
IPC (4)：
C08J 5/18 ,  H02N 11/00 ,  C08K 3/04 ,  C08L 101/00
FI (4)：
C08J5/18 ,  H02N11/00 Z ,  C08K3/04 ,  C08L101/00
F-Term (21)：
4F071AA26 ,  4F071AB03 ,  4F071AC12 ,  4F071AC17 ,  4F071AD07 ,  4F071AF37 ,  4F071AG22 ,  4F071AH12 ,  4F071AH19 ,  4J002BD141 ,  4J002BD161 ,  4J002BG061 ,  4J002BG071 ,  4J002BG101 ,  4J002CH021 ,  4J002DA016 ,  4J002EU047 ,  4J002EU117 ,  4J002FD117 ,  4J002GQ02 ,  4J002HA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (5)
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