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J-GLOBAL ID：200903026411389744
電界放出陰極装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992334391
Publication number (International publication number)：1994020592
Application date： Dec. 15, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 電界放出陰極装置の製造方法に関し、比較的に簡単な工程で、エミッタティップに個別に負帰還用の抵抗部と低抵抗の電子放出部を設けた電界放出陰極装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 カソード電極膜16を形成すべき第1の材料層40、エミッタティップ18の負帰還用抵抗部18bを形成すべき第2の材料層42、及びエミッタティップ18の電子放出部18aを形成すべき第3の材料層44を形成し、該第3の材料層44のエミッタティップ18を形成する位置にマスク46を設け、該材料層を該マスク46の下部にアンダーカットが生じるまでエッチングし、その後で絶縁膜20及びゲート電極膜22を形成する構成とする。
Claim (excerpt)：
基板(14)上にカソード電極膜(16)、絶縁膜(20)及びゲート電極膜(22)が積層され、該積層された絶縁膜(20)及びゲート電極膜(22)に設けられた穴(24)内で、エミッタティップ(18)が該カソード電極膜(16)から立ち上がり、該エミッタティップ(18)は先端側の電子放出部(18a)と根元側の負帰還用抵抗部(18b)を含む電界放出陰極装置の製造方法であって、カソード電極膜(16)を形成すべき第1の材料層(40)、エミッタティップ(18)の負帰還用抵抗部(18b)を形成すべき第2の材料層(42)、及びエミッタティップ(18)の電子放出部(18a)を形成すべき第3の材料層(44)を形成し、該第3の材料層のエミッタティップを形成する位置にマスク(46)を設け、該材料層を該マスクの下部にアンダーカットが生じるまでエッチングし、その後に絶縁膜及びゲート電極膜を形成することを特徴とする電界放出陰極装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
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電界放射型冷陰極の作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-208643
Applicant：クラリオン株式会社
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電界放出型電子源及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-204350
Applicant：シヤープ株式会社
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