プラズマ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993273139
Publication number (International publication number)：1995106315
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】高周波アンテナを用いて低圧でプラズマを発生させそのプラズマにより処理を行うにあたって、低圧下でも温度調整手段の熱を確実に被処理体例えば半導体ウエハに伝熱してウエハを所定温度に設定し、これにより良好なプラズマ処理を行うこと。【構成】気密構造のチャンバ2の上面外側に渦巻きコイルよりなる高周波アンテナ7を配置し、これに高周波電流を流してチャンバ2内に電磁界を形成してプラズマを発生させる。一方ウエハWの載置台3内に冷媒溜35を設けて載置台3を励起し、ウエハWと載置台との間に圧力調整されたバックサイドガスを流してこれを介して載置台3の冷却熱をウエハWに伝熱する。

Claim (excerpt)：

気密構造のチャンバ内に、温度調整手段を備えた載置台を設け、前記チャンバ内に処理ガスを導入してプラズマ化し、そのプラズマにより載置台上の被処理体を処理するプラズマ処理装置において、前記載置台に対向して設けられた平面状のコイルよりなる高周波アンテナと、この高周波アンテナに高周波電力を印加するための高周波電源部と、前記温度調整手段よりの熱を被処理体に伝熱させるために、被処理体と載置台との間の隙間に熱伝導用のガスを供給するためのガス供給手段と、この熱伝導用のガスの圧力を検出する圧力検出手段と、この圧力検出手段の圧力検出値にもとづいて熱伝導用のガスの圧力を制御する圧力制御手段と、を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/3065 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/68 , H01Q 9/27 , H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 C , H01L 21/302 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-079025
特開平2-235332
特開平4-346829

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