キャパシタ構造及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)： ▲柳▼川信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998306224
Publication number (International publication number)：2000133779
Application date： Oct. 28, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】比較的簡素な構成でグレインバンダリーに関わるリーク電流パスを回避する。【解決手段】キャパシタは基板100と、下部電極101と、グレイン1及びグレインバンダリー2とからなる柱状構造の容量膜3と、上部電極4とから構成され、容量膜3上面のグレインバンダリー部2 ́はエッチングされており、容量膜3上部に形成された上部電極4が直接グレインバンダリー2と電気的接触しない。このため、リーク電流パスを回避し得る。

Claim (excerpt)：

下部電極と、この下部電極の上部に積層されグレイン及びグレインバンダリーとからなる柱状構造の容量膜と、この容量膜の上部に積層される上部電極とを含むキャパシタ構造であって、前記グレインバンダリーの上部は前記上部電極と電気的接触しない形状に形成されることを特徴とするキャパシタ構造。

IPC (8)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01G 4/12 319 , H01G 4/12 325 , H01G 4/12 394 , H01G 4/12 400 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6)：

H01L 27/04 C , H01G 4/12 319 , H01G 4/12 325 , H01G 4/12 394 , H01G 4/12 400 , H01L 27/10 651

F-Term (37)：

5E001AA02 , 5E001AB01 , 5E001AC10 , 5E001AD01 , 5E001AE01 , 5E001AE03 , 5E001AH03 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F083AD21 , 5F083AD63 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083GA06 , 5F083GA11 , 5F083GA22 , 5F083GA30 , 5F083JA06 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083PR03 , 5F083PR06 , 5F083PR21 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

強誘電体記憶素子及びその製造方法、並びに集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-031945 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-148046 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

Cited by examiner (2)

強誘電体記憶素子及びその製造方法、並びに集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-031945 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-148046 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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