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J-GLOBAL ID：200903026595960139

マイクロマシニング型の構成素子および方法

Inventor： ゲアハルト ラメル ,  ジーモン アルムブルスター ,  フランク シェーファー ,  フーベルト ベンツェル
Applicant, Patent owner： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Agent (3)： 矢野 敏雄 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004538669
Publication number (International publication number)：2006500233
Application date： Mar. 06, 2003
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

マイクロマシニング型の構成素子およびマイクロマシニング型の構成素子を製造するための方法が提案され、この場合、中空室(10)と多孔質シリコン(11)の範囲とが設けられており、多孔質シリコン(11)の範囲が、中空室(10)内の圧力を低下させるために設けられている。

Claim (excerpt)：

中空室(10)と、該中空室(10)に隣接した、多孔質シリコン(11)の範囲とを備えた、マイクロマシニング型の構成素子において、多孔質シリコン(11)の範囲が、中空室(10)内の圧力を低下させるために設けられていることを特徴とする、マイクロマシニング型の構成素子。

IPC (2)：

B81B 3/00 ,  B81C 3/00

FI (2)：

B81B3/00 ,  B81C3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-243113   Applicant：富士写真フイルム株式会社