半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柳田征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999243113
Publication number (International publication number)：2001068780
Application date： Aug. 30, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザ素子において、共振器面の熱伝導率性を向上させ、最大光出力および信頼性を向上させる。【解決手段】光共振器面の少なくとも一つに、半導体層側から順に酸素をゲッタリングする機能を有する材料からなる層、III族窒素化合物からなる層を形成して反射率制御層16を形成する。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物からなる半導体層が積層されてなり、該半導体層が劈開されてなる光共振器面の少なくとも1つに、2層以上からなる反射率制御層を備えた半導体レーザ素子において、前記反射率制御層の前記半導体層側から第一層が酸素をゲッタリングする機能を有する材料からなり、第二層がIII族窒素化合物からなることを特徴とする半導体レーザ素子。

F-Term (7)：

5F073AA45 , 5F073AA53 , 5F073AA83 , 5F073CA12 , 5F073CB20 , 5F073EA24 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭59-149080
窒化アルミニウムの製造方法および半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-089215 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭59-149080

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