プラズマエッチング方法及びその装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：塚原孝和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997049863
Publication number (International publication number)：1998226892
Application date： Feb. 18, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】相対厚部の実際のエッチング量を測定しながらエッチングすることで、平坦度品質のばらつきのないウエハを量産することができるプラズマエッチング方法及びその装置を提供することを目的としている。【解決手段】プラズマ発生器2の導管20をウエハ110の相対厚部111上に位置させ、活性種ガスGを相対厚部111に噴射することでエッチングする。この際、測定器3のレーザ変位計30からレーザ光L0を発振して、相対厚部111からの反射光L1と反射板32からの反射光L2との干渉状態を観測し、この干渉状態の周期的変化をカウントする。そして、そのカウント数mと、所望エッチング量をレーザ光の半波長で除した整数値とが一致したときに、活性種ガスGの相対厚部111に対するエッチングを終了する。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生部の噴射口を被エッチング物の所定の相対厚部に対向させ、活性種ガスを上記噴射口から噴射して、上記相対厚部を平坦にエッチングするプラズマエッチング方法において、上記相対厚部の実際のエッチング量をレーザ光で測定する第1の過程と、上記エッチング量が予め定められた所定値に達したときに、上記相対厚部のエッチングを止める第2の過程と、を具備することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (3)：

C23F 4/00 A , H05H 1/46 A , H01L 21/302 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

エッチング装置および半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-003672 Applicant：株式会社日立製作所
膜厚測定装置及びポリシング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-336969 Applicant：株式会社東芝
特開平2-024502

Show all

Return to Previous Page