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J-GLOBAL ID:200903026623714858

熱起電力増幅用素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001109329
Publication number (International publication number):2002305330
Application date: Apr. 06, 2001
Publication date: Oct. 18, 2002
Summary:
【要約】【課題】 従来の有機材料にはなかった高い無次元熱電性能指数(ZT)を有するポリアニリン類膜状物から形成され、小型化や薄型化が可能で、かつ大きな熱起電力を出す熱起電力増幅用素子の提供。【解決手段】 (A)厚みが0.42nm〜2×107nm、長さが300nm〜14×107nm、幅が300nm〜2×107nmの細長いポリアニリン類膜状物と、(B)(イ)ゼーベック係数がポリアニリン類膜状物とは異なるp型半導体または(ロ)ゼーベック係数がポリアニリン類膜状物とは異なるn型半導体の膜状物であって、該半導体膜状物の長さと幅は前記ポリアニリン類膜状物とはほぼ同一であり、かつその厚みが0.42nm〜2×107nmである半導体膜状物、との積層体よりなる熱電対を複数直列につないだことを特徴とする熱起電力増幅用素子。
Claim (excerpt):
(A)厚みが0.42nm〜2×107nm、長さが300nm〜14×107nm、幅が300nm〜2×107nmの細長いポリアニリン類膜状物と、(B)(イ)ゼーベック係数がポリアニリン類膜状物とは異なるp型半導体または(ロ)ゼーベック係数がポリアニリン類膜状物とは異なるn型半導体の膜状物であって、該半導体膜状物の長さと幅は前記ポリアニリン類膜状物とはほぼ同一であり、かつその厚みが0.42nm〜2×107nmである半導体膜状物、との積層体よりなる熱電対を複数直列につないだことを特徴とする熱起電力増幅用素子。
IPC (5):
H01L 35/24 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  H01L 51/00 ,  H02N 11/00
FI (5):
H01L 35/24 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00 A ,  H01L 29/28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 有機熱電材料およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-126301   Applicant:学校法人東京理科大学
  • 熱電素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-285841   Applicant:セイコーインスツルメンツ株式会社

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