半導体装置の製造方法およびそのシステム

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997034489
Publication number (International publication number)：1998233374
Application date： Feb. 19, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高スループットで、且つ高精度の化学的、且つ機械的な研磨を実現して半導体装置(半導体素子)を高スループットで、しかも高歩留まりで製造できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】測定された被研磨材の残膜厚に応じて化学的、且つ機械的な高速研磨から低速研磨に切り換え制御することを特徴とする。また、基板上に形成された被研磨材に対して化学的、且つ機械的な研磨を施して平坦化する研磨工程と、該研磨工程によって平坦化された研磨面に発生する面荒れと区別して傷や異物についての発生状態を検査する検査工程とを有し、該検査工程で検査された研磨面における傷や異物についての発生状態を前記研磨工程にフィードバックして研磨条件を制御して研磨面に発生する傷や異物を低減することを特徴とする半導体装置の製造方法である。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された被研磨材に対して化学的、且つ機械的な研磨を施して平坦化して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、前記被研磨材に対して化学的、且つ機械的な研磨を施す際該被研磨材の残膜厚を測定し、この測定された被研磨材の残膜厚に応じて前記化学的、且つ機械的な研磨を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 , B24B 37/04 , H01L 21/66 , H01L 21/3205

FI (6)：

H01L 21/304 321 M , B24B 37/04 D , H01L 21/66 J , H01L 21/66 Z , H01L 21/66 P , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-187155 Applicant：株式会社東芝
特開昭57-192844
特開昭57-192844

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