半導体装置の製造方法および製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995187155
Publication number (International publication number)：1997036072
Application date： Jul. 24, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】研磨中の被研磨膜の膜厚あるいは反射率を測定し、所望の膜厚あるいは反射率で研磨を終了させることができる半導体装置の製造方法を提供し、研磨中の被研磨膜の膜厚あるいは反射率を自動で測定し、その測定結果に応じて研磨を制御する機構を有する半導体製造装置を提供する。【解決手段】被研磨膜を有するウェハを、研磨クロスを用いて研磨する半導体装置の製造方法において、研磨と同時に、研磨クロス内に設けられた光学的窓を通して、前記研磨クロスの裏面側から、被研磨膜の膜厚あるいは被研磨膜面の反射率を、光学的手段を用いて測定する。

Claim (excerpt)：

被研磨膜を有するウェハを、研磨クロスを用いて研磨する半導体装置の製造方法において、前記研磨クロス内に少なくとも一つの光学的窓を開口し、研磨中にこの窓を通して、前記研磨クロスの裏面側から、被研磨膜の膜厚あるいは被研磨膜面の反射率を、光学的手段を用いて測定することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (2)：

H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ウエハ研磨方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-217987 Applicant：住友金属鉱山株式会社
研磨過程モニタ装置及びそのモニタ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-313021 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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