シリコンインゴット切削用スラリーおよびそれを用いるシリコンインゴットの切断方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：曾我道照 , 曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003345919
Publication number (International publication number)：2005112917
Application date： Oct. 03, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】シリコンインゴット切断加工時の切断抵抗を低減して、高品質のウエハを効率よく得ることができるシリコンインゴット切削用スラリー及びそれを用いるシリコンインゴットの切断方法を提供すること。【解決手段】砥粒を含むシリコンインゴット切削用スラリーにおいて、前記スラリーが硝酸およびフッ化水素酸をさらに含み、且つ前記硝酸の前記フッ化水素酸に対する質量比を0.5〜25とする。また、前記スラリーが酢酸をさらに含んでもよい。上記スラリーを40°C〜110°Cで使用する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

砥粒を含むシリコンインゴット切削用スラリーにおいて、前記スラリーが硝酸およびフッ化水素酸をさらに含み、且つ前記硝酸の前記フッ化水素酸に対する質量比が0.5〜25であることを特徴とするシリコンインゴット切削用スラリー。

IPC (11)：

C10M173/02 , B24B57/02 , B28D5/04 , C10M103/00 , C10M105/24 , C10M125/02 , C10M125/10 , C10M125/18 , C10M125/20 , C10M125/26 , C10M129/32

FI (11)：

C10M173/02 , B24B57/02 , B28D5/04 C , C10M103/00 Z , C10M105/24 , C10M125/02 , C10M125/10 , C10M125/18 , C10M125/20 , C10M125/26 , C10M129/32

F-Term (26)：

3C047FF06 , 3C047FF09 , 3C047GG15 , 3C047GG20 , 3C069AA01 , 3C069BA06 , 3C069BB01 , 3C069BB02 , 3C069BB04 , 3C069CA04 , 3C069DA06 , 3C069EA05 , 4H104AA04C , 4H104AA13C , 4H104AA16A , 4H104AA16C , 4H104AA17A , 4H104AA17C , 4H104AA21C , 4H104AA26C , 4H104BB16A , 4H104BB16C , 4H104LA03 , 4H104PA22 , 4H104QA01 , 4H104RA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体材料の切断・加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-161014 Applicant：住友金属工業株式会社

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