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J-GLOBAL ID：200903026685674950

揮発性原料を用いたMIS型トランジスタ素子およびそれを備えた半導体装置

Inventor： 生田目 俊秀 ,  堀川 剛 ,  木下 勇 ,  磯辺 清
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  三菱電機株式会社
Agent (2)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002275532
Publication number (International publication number)：2004111832
Application date： Sep. 20, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】固定電荷フリーで、かつ、リーク電流を抑え微細化されたゲートトランジスタの容量を確保するため、ゲート絶縁膜に安定供給可能で、かつ、形成した膜中の不純物を抑制できるMIS型半導体素子用の揮発性原料の提供。【解決手段】シリコン単結晶基板を母材としたMIS(Metal Insulator Semiconductor)型トランジスタ素子であって、前記半導体素子のゲート絶縁膜をHf(NO3)4・L(Lは分子性塩基)で示される揮発性原料を、化学気相成長法または原子層制御成長法により前記半導体素子のゲート絶縁膜として形成することを特徴とするMIS型半導体素子。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板を母材としたMIS(Metal Insulator Semiconductor)型トランジスタ素子であって、 前記トランジスタ素子のゲート絶縁膜をHf(NO3)4・L(Lは分子性塩基)で示される揮発性原料を、化学気相成長法または原子層制御成長法により前記素子のゲート絶縁膜として形成することを特徴とするMIS型トランジスタ素子。

IPC (2)：

H01L29/78 ,  H01L21/316

FI (2)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 B

F-Term (31)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F140AA24 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF09 ,  5F140BF10 ,  5F140BG27 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 珪酸塩高誘電率材料の真空蒸着
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-375450   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-122174   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 特開平2-014821
  
• 特開平3-141118
  
• 特開平2-088408
  
• 特開平2-243504