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J-GLOBAL ID：200903026727796201
結晶成長方法および半導体発光装置
Inventor：
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995336473
Publication number (International publication number)：1997181355
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 SiC基板上に、欠陥の少ない良質のGaN結晶を成長させる。【解決手段】 水素ターミネイト6H-SiC(0001)基板表面に、GaN層を成長させる。まず、6H-SiC(0001)基板10の表面を水素によりターミネイトする。この基板をMOCVD装置内にセットし、基板温度を1000°Cに保持し、水素キャリアガスと共にトリメチルガリウムおよびアンモニアを供給する。この方法により、SiC基板表面12にGaN単結晶薄膜11がヘテロエピタキシャル成長する。
Claim (excerpt)：
水素ターミネイトしたSiC結晶と、前記結晶上に形成したGaN層とを備えた半導体発光装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
Cited by examiner (6)
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