量子カスケードレーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006060614
Publication number (International publication number)：2006310784
Application date： Mar. 07, 2006
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：

【課題】従来のものよりも、低周波で発振し、製造し易い構造の量子カスケードレーザーを提案する。【解決手段】AlSb層あるいはGaAlSb層と、GaSb層とを繰り返し積層し、その両端に電極層を形成して構成した超格子素子であって、光の誘導放出を行う量子井戸を構成するGaSb層の厚さを、該GaSb層に形成された量子準位の基底状態と第1の励起状態の固有エネルギーの差がGaSbのLOフォノンエネルギーになる厚さにする。特に、AlSb層、GaSb層、AlSb層、GaSb層、AlSb層、n型のGaSb層、AlSb層、GaSb層を繰り返し単位とする超格子を用いて、これを、コンタクト層として用いられる2つのn型の半導体層にはさんだ構造とする。AlSb層は、GaAlSb層で置き換えた構造でもよい。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

AlSb層あるいはGaAlSb層と、GaSb層とを繰り返し積層し、その両端に電極層を形成して構成した超格子素子であって、光の誘導放出を行う量子井戸を構成するGaSb層の厚さを、該GaSb層に形成された量子準位の基底状態と第1の励起状態の固有エネルギーの差がGaSbのLOフォノンエネルギーになる厚さにしたことを特徴とする量子カスケードレーザ。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (9)：

5F173AA01 , 5F173AF03 , 5F173AG14 , 5F173AH29 , 5F173AP09 , 5F173AP33 , 5F173AR02 , 5F173AR93 , 5F173AR96

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

サブバンド間発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-060542 Applicant：東北大学長
特開平2-211686
InAs/AlSb量子カスケードレーザー及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-328879 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

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