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J-GLOBAL ID:200903026836775702
発光ダイオード及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平山 一幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999203397
Publication number (International publication number):2001036129
Application date: Jul. 16, 1999
Publication date: Feb. 09, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電極保護を行なう必要なしに、半導体チップ上面及び側面の凹凸化及び薄膜形成を同時に行なうことにより、コストを低減するようにした発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 pn接合を備え、GaAs系のn層を上面に配設した半導体チップ20と、この半導体チップの上面及び反対側の裏面に配設した電極14,15とを含んでおり、この半導体チップ上面の電極15以外の領域及び側面Aから光を取り出すように構成した発光ダイオード10において、電極15以外の半導体チップ上面及び側面Aに、表面粗さが0.5乃至5.0μm程度の凹凸面17を設けると共に、その凹凸面17に、半導体チップ材料を含むヒ素化合物の薄膜18を付着させる。
Claim (excerpt):
n型の第一の半導体領域とp型の第二の半導体領域とでpn接合を形成するように配置された半導体チップと、この半導体チップの上面及び反対側の裏面に配設された電極とを含んでおり、該半導体チップ上面の電極以外の領域及び側面から光を取り出すように構成された発光ダイオードにおいて、上記電極以外の半導体チップ上面及び/又は側面が、0.5乃至5μm程度の凹凸面を有すると共に、少なくともその凹凸面に、上記半導体チップ材料を含む化合物の薄膜が付着していることを特徴とする、発光ダイオード。
F-Term (5):
5F041AA03
, 5F041AA07
, 5F041CA14
, 5F041CA35
, 5F041CA77
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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特開昭59-175776
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改良された放射能力を有する放射線放出ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-050033
Applicant:テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
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半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-357530
Applicant:サンケン電気株式会社
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GaAlAs発光素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-296723
Applicant:信越半導体株式会社
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